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1N6484/26

更新时间： 2024-11-14 14:39:11

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	321K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-213AB, PLASTIC PACKAGE-2

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1N6484/26 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-213AB	包装说明：	O-PELF-N2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.75	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-213AB	JESD-30 代码：	O-PELF-N2
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1000 V	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

1N6484/26 数据手册

1N6478 thru 1N6484

Vishay General Semiconductor

Surface Mount Glass Passivated Junction Rectifier

Major Ratings and Characteristics

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

I_R

1.0 A

50 V to 1000 V

30 A

10 µA

V_F

1.1 V

T_jmax.

175 °C

*Glass-plastic encapsulation

is covered by

DO-213AB

Patent No. 3,996,602,

brazed-lead assembly to

Patent No. 3,930,306

Features

Mechanical Data

• Superectifier structure for high reliability

condition

Case: DO-213AB, molded epoxy over glass body

Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating

• Patented glass-plastic encapsulation technique

• Ideal for automated placement

• Low forward voltage drop

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002B and JESD22-B102D

E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high

reliability grade (AEC Q101 qualified)

• Low leakage current

Polarity: Two bands indicate cathode end - 1st band

denotes device type and 2nd band denotes repetitive

peak reverse voltage rating

• High forward surge capability

• Meets environmental standard MIL-S-19500

• Meets MSL level 1, per J-STD-020C

• Solder Dip 260 °C, 40 seconds

Typical Applications

For use in general purpose rectification of power sup-

plies, inverters, converters and freewheeling diodes

for consumer, automotive and Telecommunication

Maximum Ratings

(T_A= 25 °C unless otherwise noted)

Standard recovery time device: 1st band is White Symbol 1N6478 1N6479 1N6480 1N6481 1N6482 1N6483 1N6484 Unit

Polarity color bands (2nd Band)

Gray

Red

100

Orange Yellow

Green

600

Blue

800

Violet

1000

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

200

140

200

400

280

400

1.0

Maximum RMS voltage

420

600

560

800

700

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current

100

1000

I_F(AV)

I_FSM

Peak forward surge current 8.3 ms single half

sine-wave superimposed on rated load

Maximum full load reverse current, full cycle

average at T_A= 75 °C

I_R(AV)

100

µA

°C

Operating junction and storage temperature range T_J, T_STG

- 65 to + 175

Document Number 88527

06-Sep-05

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N6484-5410/1	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-213AB
1N6484-E3/96	VISHAY	获取价格	Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-213AB T/R
1N6484HE3/96	VISHAY	获取价格	STD RECOVERY RECTFR 1KV 1A 2PIN DO-213AB - Tape and Reel
1N6484-HE3/96	VISHAY	获取价格	DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Sig
1N6484HE3/97	VISHAY	获取价格	STD RECOVERY RECTFR 1KV 1A 2PIN DO-213AB - Tape and Reel
1N6485	NJSEMI	获取价格	DO-41 Package
1N6485	CDI-DIODE	获取价格	1.5 WATT ZENER DIODES
1N6485	MICROSEMI	获取价格	1.5 WATT GLASS ZENER DIODES
1N6485	SUNMATE	获取价格	1.5W axial zener diode DO-41 3.3V series
1N6485	EIC	获取价格	SILICON ZENER DIODES

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