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Datasheet > 二极管 > 齐纳二极管> 1N6485US
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1N6485US

更新时间： 2024-09-14 22:23:59
品牌 Logo 应用领域
CDI-DIODE 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
2页 111K
描述
1.5 WATT ZENER DIODES

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1N6485US 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：O-LELF-R2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.66
Is Samacsys：N其他特性：METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JESD-30 代码：O-LELF-R2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：1.5 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：3.3 V表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：TIN LEAD
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
最大电压容差：5%工作测试电流：76 mA
Base Number Matches：1

1N6485US 数据手册

 浏览型号1N6485US的Datasheet PDF文件第2页 
1N6485US  
THRU  
• AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS  
PER MIL-PRF-19500/406  
1N6491US  
AND  
1N4460US  
AND  
• 1.5 WATT ZENER DIODES  
• NON CAVITY CONSTRUCTION  
• METALLURGICALLY BONDED  
1N4461US  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +200°C  
Power Dissapation: 1.5W @ T =+25°C  
A
Power Derating: 10mW/°C above T =+25°C  
A
Forward Voltage: 1.0V dc @ I =200mA dc  
F
1.5 V dc @ I =1A dc  
F
MILLIMETERS  
INCHES  
DIM MIN  
MAX  
2.62  
0.71  
5.08  
MIN MAX  
0.091 0.103  
0.019 0.028  
0.168 0.200  
0.003MIN.  
D
F
G
2.31  
0.48  
4.28  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified  
S
0.08MIN.  
ZENER  
TEST  
DYNAMIC  
KNEE  
TEST  
REVERSE TEST  
MAXIMUM V  
Z
(REG)  
MAXIMUM  
SURGE  
VOLTAGE CURRENT IMPEDENCE IMPEDENCE CURRENT CURRENT VOLTAGE CURRENT  
(NOM.)  
±5%  
▲
V
Z
TYPE  
I
(MAX.)  
(MAX.)  
I
(MAX.)  
I @V  
R
V
I
ZM  
ZT  
ZK  
R
Z
@I  
Z
@I  
ZT ZT  
ZK ZT  
R
FIGURE 1  
VOLTS  
mA  
OHMS  
OHMS  
mA  
µ A  
VOLTS  
MA  
VOLTS  
AMPS  
1N6485US  
3.3  
76.0  
10  
400  
1.0  
50  
1.0  
433  
.90  
4.2  
1N6486US 9.0 3.66  
10  
400  
1.0  
1.0  
50  
1.0  
2.0  
397  
.80  
.40  
3.9  
2.5  
1N6487US  
1N6488US  
3.9  
4.3  
64.0  
58.0  
9
9
400  
400  
1.0  
1.0  
35  
5.0  
1.0  
1.0  
366  
332  
.75  
.70  
3.6  
3.3  
DESIGN DATA  
1N6489US  
1N6490US  
1N6491US  
1N4460US  
1N4461US  
4.7  
5.1  
5.645.0  
6.2  
6.8  
53.0  
49.0  
8
7
500  
500  
1.0  
1.0  
4.0  
1.0  
1.0  
1.0  
304  
280  
.60  
.50  
3.0  
2.7  
5
00  
6
0.5  
255  
CASE: D-5A, hermetically sealed glass  
case, per MIL-PRF- 19500/406  
40.0  
37.0  
4
200  
200  
1.0  
1.0  
10.0  
5.0  
3.72  
4.08  
230  
210  
.35  
.30  
2.3  
2.1  
2.5  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
THERMAL RESISTANCE: (R  
20 ˚C/W maximum at L = 0  
):  
OJEC  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
˚C/W maximum  
): 4.5  
OJX  
POLARITY: Diode to be operated with  
the banded (cathode) end positive.  
MOUNTING SURFACE SELECTION:  
The Axial Coefficient of Expansion  
(COE) of this device is approximately  
+ 4PPM / °C. The COE of the Mounting  
Surface System should be selected to  
provide a suitable match with this  
device.  
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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与1N6485US相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6485USC MICROSEMI

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 		Zener Diode, 3.3V V(Z), 2%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-
1N6485USCE3 MICROSEMI

获取价格

 		Zener Diode, 3.3V V(Z), 2%, 1.5W
1N6485USD MICROSEMI

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 		暂无描述
1N6485USDE3 MICROSEMI

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1N6485USE3 MICROSEMI

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1N6486 SUNMATE

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1N6486 MICROSEMI

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