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1N6473

更新时间: 2024-11-26 22:37:43
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 67K
描述
TRANSIENT SUPPRESSORS

1N6473 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.41其他特性:HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED
最小击穿电压:27 V击穿电压标称值:27 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:41.4 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:3 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:24 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N6473 数据手册

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1N6473 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX1N6473 MICROSEMI

完全替代

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 24V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

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