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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.39 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED | 最小击穿电压： | 33 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 30.5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N6474 | MICROSEMI |
完全替代  |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 30.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6474E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 1N6474HR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 1N6474HRS | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 1N6474HRV | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 1N6474HRX | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 1N6474US | MICROSEMI |
获取价格 |
VOIDLESS HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT UNDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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| 1N6474US | SEMTECH |
获取价格 |
QPL 1500 Watt Surface Mount TVS |
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| 1N6474US | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, MELF-2 |
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| 1N6475 | SEMTECH |
获取价格 |
QPL 1500 Watt Axial Leaded TVS |
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| 1N6475 | MICROSEMI |
获取价格 |
HIGH SUGRE CAPACITY PROVIDES TRANSIENT PROTECTION FOR MOST CRITICAL CIRCUITS. |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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