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1N6472HRV

更新时间: 2024-02-17 04:07:29
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管
页数 文件大小 规格书
2页 67K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 15V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

1N6472HRV 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:MELF
包装说明:R-LELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.46
Is Samacsys:N最小击穿电压:16.4 V
击穿电压标称值:16.4 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:26.5 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-LELF-R2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:RECTANGULAR封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:3 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:15 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6472HRV 数据手册

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