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1N6311D

更新时间: 2024-11-16 13:03:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
2页 100K
描述
Zener Diode, 3V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

1N6311D 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-35
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.3
其他特性:HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:29 Ω
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W标称参考电压:3 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:1%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

1N6311D 数据手册

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500 mW ZENER DIODES, NON CAVITY CONSTRUCTION, METALLURGICALLY BONDED