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1N6313DE3

更新时间: 2024-02-05 23:44:30
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 256K
描述
Zener Diode, 3.6V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

1N6313DE3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.29
其他特性:HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:25 Ω
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W标称参考电压:3.6 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:MATTE TIN OVER COPPER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:1%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

1N6313DE3 数据手册

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Zener Diode, 3.9V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, MICRO MINIATURE, GLASS P