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1N6312US-TR

更新时间: 2024-11-16 13:03:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
2页 100K
描述
Zener Diode, 3.3V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, B, D-5D, 2 PIN

1N6312US-TR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LELF-R2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.44其他特性:METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e0
膝阻抗最大值:1400 Ω元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:3.3 V最大反向电流:5 µA
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max:最大电压容差:5%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

1N6312US-TR 数据手册

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