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1N6311DE3

更新时间: 2024-09-29 14:31:55
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 256K
描述
Zener Diode, 3V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

1N6311DE3 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.3
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:29 ΩJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
标称参考电压:3 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:MATTE TIN OVER COPPER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:1%工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

1N6311DE3 数据手册

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