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1N6311C

更新时间： 2024-11-17 09:52:15
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DIGITRON /
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4页 926K
描述
Zener Diode

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1N6309-1N6355  
500mW GLASS ZENER DIODES  
High-reliability discrete products  
and engineering services since 1977  
FEATURES  
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.  
Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding “-PBF” suffix.  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Junction and storage temperature range  
TJ, Tstg  
-65 to +175  
°C  
Thermal resistance, junction to lead(1)  
1N6309-1N6320  
RӨJL  
150  
°C/W  
1N6321-1N6355  
95.5  
Thermal resistance, junction to ambient (2)  
Steady state power dissipation @ TL = 75°C  
Forward voltage @ 1.0A  
RӨJA  
PD  
240  
0.5  
°C/W  
W
VF  
1.4  
V
Solder temperature @ 10s  
TSP  
260  
°C  
Note 1: At 3/8” from body.  
Note 2: TA = +55°C before derating on printed circuit board, PCB = FR4 0.0625” 1 layer 1oz. Cu, horizontal, still air, pads = 0.092” diameter, strip = 0.030” x 1” long, axial  
lead length L ≤ 0.187”. RӨJA with a defined thermal resistance condition included is measured at IZ = as defined in the characteristics and ratings table herin.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Max.  
noise  
density  
Max.  
temperature  
coefficient  
Surge  
current  
Max.  
reverse  
current  
Voltage  
reg.  
VZ2  
Nom.  
Max.  
reverse  
current  
VZ1 Min.  
@ Lz1  
Test  
Current  
Dynamic  
impedance  
Dynamic  
impedance  
Max.  
current  
Reverse  
voltage  
lZSM  
Part  
VZ (reg)  
ND @  
250μA  
+/-5% @  
lZ2  
number(1)  
8.3ms  
square  
wave  
lZ2  
ZZ @ lZ2  
ZZK @ 250μA  
lZM  
VR  
lR2 @  
150°C  
250μA  
(2)  
lR1 @ 25°C  
ΔVZ  
aVZ  
1-3kHz  
Volts  
2.4  
2.7  
3.0  
3.3  
3.6  
3.9  
Volts  
1.1  
1.2  
1.3  
1.5  
1.8  
2.0  
mA  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
Ohms  
30  
Ohms  
1200  
1300  
1400  
1400  
1400  
1700  
mA  
177  
157  
141  
158  
117  
108  
Volts  
1.5  
1.5  
1.5  
1.6  
1.6  
1.6  
Amps  
2.5  
Volts  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
µA  
100  
60  
30  
5
µA  
200  
150  
100  
20  
µV/√Hz  
%/°C  
-0.085  
-0.080  
-0.075  
-0.070  
-0.065  
-0.060  
1N6309  
1N6310  
1N6311  
1N6312  
1N6313  
1N6314  
1
1
1
1
1
1
30  
2.2  
29  
2.0  
27  
1.8  
25  
1.65  
1.5  
3
12  
23  
2
12  
-0.045  
+0.020  
1N6315  
1N6316  
1N6317  
4.3  
4.7  
5.1  
2.4  
2.8  
3.3  
20  
20  
20  
20  
17  
14  
1700  
1500  
1300  
99  
90  
83  
0.9  
0.5  
0.4  
1.4  
1.0  
1.5  
2.0  
2
5
5
12  
12  
12  
1
1
1
-0.028  
+0.032  
1.27  
1.17  
-0.020  
+0.035  
1N6318  
1N6319  
1N6320  
1N6321  
1N6322  
1N6323  
1N6324  
1N6325  
1N6326  
1N6327  
1N6328  
1N6329  
5.6  
6.2  
4.3  
5.2  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
9.5  
8.5  
7.8  
8
3
1200  
800  
400  
400  
400  
500  
500  
550  
550  
550  
600  
600  
76  
68  
63  
57  
52  
47  
43  
35  
35  
33  
28  
27  
0.4  
0.3  
1.10  
0.97  
1.23  
1.16  
1.07  
0.97  
0.89  
0.77  
0.77  
0.71  
0.62  
0.58  
2.5  
3.5  
4.0  
5.0  
6.0  
7.0  
8.0  
9.0  
9.0  
9.9  
11.0  
12.0  
5
5
10  
10  
50  
30  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
2
5
+0.050  
+0.060  
+0.062  
+0.068  
+0.075  
+0.076  
+0.079  
+0.083  
+0.083  
+0.083  
+0.084  
+0.084  
6.8  
6.0  
3
0.35  
0.4  
2
5
7.5  
6.6  
4
2
5
8.2  
7.5  
5
0.4  
1
20  
40  
80  
100  
100  
100  
100  
100  
9.1  
8.4  
6
0.5  
1
10.0  
11.0  
12.0  
13.0  
15.0  
16.0  
9.1  
6
0.5  
1
10.0  
11.0  
11.9  
13.8  
14.7  
7
0.55  
0.55  
0.55  
0.70  
0.75  
1
7
10  
0.05  
0.05  
0.05  
8
10  
12  
Rev. 20160128  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6311CE3 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 3V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, HERMETIC S
1N6311CUSE3 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 3V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, MELF-2
1N6311D MICROSEMI

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 		Zener Diode, 3V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PAC
1N6311DE3 MICROSEMI

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1N6311US MICROSEMI

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 		500 mW ZENER DIODES

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