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Datasheet > 二极管 > 齐纳二极管> 1N6310US
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1N6310US

更新时间： 2024-11-23 22:37:43
品牌 Logo 应用领域
CDI-DIODE 稳压二极管测试
页数 文件大小 规格书
2页 112K
描述
500 mW ZENER DIODES

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1N6310US 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：HERMETIC SEALED, GLASS, D-5D, 2 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.6
其他特性：METALLURGICALLY BONDED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJESD-30 代码：O-LELF-R2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：2.7 V
表面贴装：YES技术：ZENER
端子面层：TIN LEAD端子形式：WRAP AROUND
端子位置：END最大电压容差：5%
工作测试电流：20 mABase Number Matches：1

1N6310US 数据手册

 浏览型号1N6310US的Datasheet PDF文件第2页 
1N6309US  
THRU  
• AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS  
PER MIL-PRF-19500/533  
1N6320US  
• 500 mW ZENER DIODES  
• NON CAVITY CONSTRUCTION  
• METALLURGICALLY BONDED  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
Power Dissapation: 500 mW@T =+125ºC  
EC  
Power Derating: 10 mW/°C above T =+125ºC  
EC  
Forward Voltage: 1.4V dc @ I =1A dc (pulsed)  
F
MILLIMETERS  
INCHES  
DIM MIN  
MAX  
2.16  
0.71  
4.95  
MIN MAX  
0.070 0.085  
0.019 0.028  
0.165 0.195  
0.003MIN.  
D
F
G
1.78  
0.48  
4.19  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified  
S
0.08MIN.  
V
NOM.  
V
MIN.  
I
Z
@
Z
@
I
V
(reg)  
I
V
I
I
N
D
@250 µA  
Z2  
Z1  
Z2  
Z
ZK  
ZM  
Z
ZSM  
SURGE  
R
R1  
@
R2  
@
TEST  
TYPE  
±5% @  
@I  
250µ A  
CURRENT  
I
250µ A  
▲
(1)  
VZ  
25ºC TA=  
150ºC  
1-3 kHz  
Z1  
Z2  
FIGURE 1  
I
Z2  
VOLTS VOLTS  
mA  
OHMS  
OHMS  
mA  
VOLTS AMPS VOLTS µ A  
µ A µ V/ Hz  
1N6309US  
1N6310US  
1N6311US  
1N6312US  
2.4  
2.7  
3.0  
3.3  
1.1  
1.2  
1.3  
1.5  
20  
20  
20  
20  
30  
30  
29  
24  
1200  
1300  
1400  
1400  
177  
157  
141  
128  
1.5  
1.5  
1.5  
1.6  
2.5  
2.2  
2.0  
1.8  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
100  
60  
30  
200  
150  
100  
20  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
DESIGN DATA  
5.0  
1N6313US  
1N6314US  
1N6315US  
1N6316US  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
1.8  
2.0  
2.4  
2.8  
20  
20  
20  
20  
22  
20  
18  
16  
1400  
1700  
1400  
1500  
117  
108  
99  
1.6  
1.6  
0.9  
0.5  
1.65  
1.5  
1.4  
1.0  
1.0  
1.0  
1.5  
3.0  
2.0  
2.0  
5.0  
12  
12  
12  
12  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
CASE: D-5D, Hermetically sealed glass  
case, per MIL-PRF- 19500/533  
90  
1.27  
1N6317US  
1N6318US  
1N6319US  
1N6320US  
5.1  
5.6  
6.2  
6.8  
3.3  
4.3  
5.2  
6.0  
20  
20  
20  
20  
14  
8.0  
3.0  
3.0  
1300  
1200  
800  
83  
76  
68  
63  
0.4  
0.4  
0.3  
1.17  
1.10  
0.97  
1.23  
2.0  
2.5  
3.5  
4.0  
5.0  
5.0  
5.0  
2.0  
12  
10  
10  
50  
1.0  
2.0  
5.0  
5.0  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
400  
0.35  
THERMAL RESISTANCE: (R  
50 ˚C/W maximum  
):  
OJEC  
NOTE 1:  
▲ V = V @ 20 mAdc minus V @ 2mAdc  
Z Z Z  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
˚C/W maximum  
): 15  
OJX  
POLARITY: Diode to be operated with  
the banded (cathode) end positive.  
MOUNTING SURFACE SELECTION:  
The Axial Coefficient of Expansion  
(COE) of this device is approximately  
+ 4PPM / °C. The COE of the Mounting  
Surface System should be selected to  
provide a suitable match with this  
device.  
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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与1N6310US相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6310USE3 MICROSEMI

获取价格

 		Zener Diode, 2.7V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, MELF-2
1N6311 SENSITRON

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 		ZENER 500mW VOLTAGE REGULATOR
1N6311 NJSEMI

获取价格

 		500 mW ZENER DIODES, NON CAVITY CONSTRUCTION, METALLURGICALLY BONDED
1N6311 MICROSEMI

获取价格

 		500 mW GLASS ZENER DIODES
1N6311 CDI-DIODE

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 		500 mW ZENER DIODES
1N6311C DIGITRON

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 		Zener Diode
1N6311CE3 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 3V V(Z), 2%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, HERMETIC S
1N6311CUSE3 MICROSEMI

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1N6311D MICROSEMI

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1N6311DE3 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 3V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, HERMETIC S

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