是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | O-LALF-W2 |
针数: | 2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.35 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 最小击穿电压: | 95 V |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 500 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | BIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 2 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 76 V | 表面贴装: | NO |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
JANTXV1N6130A | MICROSEMI |
完全替代 ![]() |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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JANTX1N6130A | MICROSEMI |
完全替代 ![]() |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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JAN1N6130A | MICROSEMI |
完全替代 ![]() |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N6130A.TR | SEMTECH |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon |
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1N6130AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 76V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS |
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1N6130AS | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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1N6130AUS | SENSITRON |
获取价格 |
Transient Voltage Suppressor Diode, 500W |
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1N6130AUS | NJSEMI |
获取价格 |
Diode TVS Single Bi-Dir 76V 500W 2-Pin SMD |
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1N6130AUS | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 76V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HERME |
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1N6130AUS | SEMTECH |
获取价格 |
500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US) |
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1N6130AUSE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 76V V(RWM), Bidirectional, |
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1N6130AUSS | SENSITRON |
获取价格 |
暂无描述 |
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1N6130S | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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