5秒后页面跳转
1N6130A PDF预览

1N6130A

更新时间: 2024-09-07 22:37:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 109K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

1N6130A 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.35Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY最小击穿电压:95 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:500 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:2 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:76 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N6130A 数据手册

 浏览型号1N6130A的Datasheet PDF文件第2页 

1N6130A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV1N6130A MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JANTX1N6130A MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS
JAN1N6130A MICROSEMI

完全替代

BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

与1N6130A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6130A.TR SEMTECH

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon
1N6130AE3 MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 76V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS
1N6130AS SENSITRON

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,
1N6130AUS SENSITRON

获取价格

Transient Voltage Suppressor Diode, 500W
1N6130AUS NJSEMI

获取价格

Diode TVS Single Bi-Dir 76V 500W 2-Pin SMD
1N6130AUS MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 76V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HERME
1N6130AUS SEMTECH

获取价格

500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US)
1N6130AUSE3 MICROSEMI

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 76V V(RWM), Bidirectional,
1N6130AUSS SENSITRON

获取价格

暂无描述
1N6130S SENSITRON

获取价格

Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,