是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | MELF |
包装说明: | O-LELF-R2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.33 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
最小击穿电压: | 90.25 V | 击穿电压标称值: | 100 V |
外壳连接: | ISOLATED | 最大钳位电压: | 137.6 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | O-LELF-R2 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 500 W |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 2 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 76 V |
子类别: | Transient Suppressors | 表面贴装: | YES |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | WRAP AROUND | 端子位置: | END |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
JANTX1N6130US | MICROSEMI |
功能相似 ![]() |
暂无描述 |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N6130USE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 76V V(RWM), Bidirectional, |
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1N6130USS | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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1N6130USV | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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1N6130V | SENSITRON |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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1N6131 | MICROSEMI |
获取价格 |
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS |
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1N6131 | SEMTECH |
获取价格 |
500W BI-POLARITY TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS |
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1N6131 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
600W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, GLASS, CB-431, 2 PIN |
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1N6131 | VMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 83.6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, HER |
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1N6131 | NJSEMI |
获取价格 |
500W BI-POLARITY TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS |
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1N6131 | SENSITRON |
获取价格 |
500 W Transient Voltage Suppressor |
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