1N60AX

更新时间： 2024-11-11 13:03:43

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美高森美 - MICROSEMI		无线
页数	文件大小	规格书
1页	61K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 40V V(RRM), Germanium

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1N60AX 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.58	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	GERMANIUM
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.08 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	40 V	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1N60AX 数据手册

Gold Bonded

Germanium Diodes

1N60A

Optimized for Radio Frequency Response

Can be used in many AM, FM and TV-IF applications, replacing point contact devices.

Applications

AM/FM detectors

DO -7 G lass Package

Ratio detectors

FM discriminators

0.018-0.022"

0.458-.558 m m

TV audio detectors

RF input probes

TV video detectors

1.0"

25.4 m m

(M in.)

Length

0.230-0.30"

Dia

0.085-.107

Features

2.16-2.71 m m

5.85-7.62m m

Lower leakage current

Flat junction capacitance

High mechanical strength

At least 1 million hours MTBF

BKC's Sigma-Bond™ plating for

problem free solderability

Absolute Maximum Ratings at T_amb= 25 ^OC

Parameter

Symbols

Min.

Max.

Units

Peak Inverse Voltage

PIV

Volts

Peak Forward Surge Current Non-Repetitive, t = 1 Second

Peak Forward Surge Current Repetitive

Average Rectified Forward Current

I_FSM

I_FSR

0.2

Amps

I_O

Operating and Storage Temperatures

T_{J & STG}

-55

+75

^OC

Electrical Characteristics at T_amb= 25 ^OC

Parameter

TestConditions

Symbols

Min.

Typ.

Max.

Units

Forward Voltage Drop

I_F= 5 mA

1.0

Volts

Breakdown Voltage

Reverse Leakage

Ir = 1.0 mA

PIV

Volts

µA

V_R= 10 Volts

I_R

Dynamic Resistance Input cycles @40 MHz

Modulated @ 400 Hz Input Voltage1.6 VRMS

Without modulation RC Filter Network R=4.7 K,C=5 pF

1.55

Volts(p-p)

6 Lake Street - Lawrence, MA 01841

Tel: 978-681-0392 - Fax: 978-681-9135

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N60-B-AA3-B	UTC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 650V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
1N60BDO7	NJSEMI	获取价格	Diode Schottky 40V 0.03A 2-Pin DO-35 Bulk
1N60BK	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.05A, 100V V(RRM), Germanium, DO-7
1N60BKLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.05A, 100V V(RRM), Germanium, DO-7
1N60-B-TA3-T	UTC	获取价格	Transistor
1N60-B-TB3-T	UTC	获取价格	Transistor
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1N60-B-TM3-R	UTC	获取价格	暂无描述
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