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| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.57 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 50 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.2 A | 最大漏源导通电阻： | 11.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 4 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 28 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4.8 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 85 ns | 最大开启时间（吨）： | 80 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N60G-TMS4-T | UTC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 1N60G-TMS-T | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 1N60G-TN3-R | UTC |
获取价格 |
1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 1N60G-TN3-T | UTC |
获取价格 |
1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 1N60G-TND-R | UTC |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 1N60G-X-AA3-R | UTC |
获取价格 |
1.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET |
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| 1N60G-X-T60-K | UTC |
获取价格 |
1.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET |
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| 1N60G-X-T92-B | UTC |
获取价格 |
1.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET |
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| 1N60G-X-T92-K | UTC |
获取价格 |
1.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET |
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| 1N60G-X-TA3-T | UTC |
获取价格 |
1.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET |
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