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1N60G

更新时间： 2024-11-20 17:15:35

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友台半导体 - UMW		栅栅极
页数	文件大小	规格书
9页	1441K
描述
漏源电压（Vdss）:600V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:1A(Tc);栅极-源极阈值电压:4V @ 250uA;漏源导通电阻:11Ω@10V;种类:N-Channel;Vgs(th)(V):±30

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1N60G 数据手册

UMW

UMW 1N60

MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET

N-道沟功率

●最大额定值（TC=25°C）

●Absolute Maximum Ratings（Tc=25°C）

TO-92/251T/251S/252/223

位单

参数

PARAMETER

号符

SYMBOL

值定额

VALUE

UNIT

V_DS=600V

_DS(ON)=11Ω

I_D=1.0A

漏-源电压

V_DS

V_GS

600

Drain-source Voltage

栅-源电压

gate-source Voltage

±30

漏极电流

Continuous Drain Current

TC=25℃

漏极电流

Continuous Drain Current

I_D

1.0*

I_D

0.6*

4.0*

TC=100℃

最大脉冲电流

Drain Current －Pulsed

I_DM

P_D

①

TO-92

耗散功率

Power Dissipation (T_L=25°C)

TO-251T/251S/252/223

最高结温

Junction Temperature

150

°C

存储温度

Storage Temperature

T_STG

-55-150

单脉冲雪崩能量

Single Pulse Avalanche

E_AS

Energy②

*漏极电流由最高结温限制

*Drain current limited by maximum junction temperature

SOT-223

●电特性（ Tc=25°C）

●Electronic Characteristics（Tc=25°C）

参数

PARAMETER

号符

SYMBOL

条试测件

TEST CONDITION

值小最

MIN

值型典

TYP

值大最

MAX

单位

UNIT

漏-源击穿电压

BV_DSS

V_GS=0V, I_D=250µA

600

Drain-source Breakdown Voltage

击穿电压温度系数

Breakdown Voltage Temperature

Coefficient

ΔBV_DSS/

ΔTj

I_D=250uA, Referenced to

0.6

V/°C

25°C

栅极开启电压

Gate Threshold Voltage

V_GS(TH)

V_GS=V_DS,I_D=250µA

2.0

4.0

V_DS=600V,

V_GS=0V, Tj=25°C

V_DS=480V,

漏-源漏电流

I_DSS

gfs

Drain-source Leakage Current

250

µA

V_GS=0V, Tj=125 C

导跨

Forward Transconductance

V_DS=40V, I_D=0.5A

③

0.5

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N60G-AA3-R	UTC	获取价格	1.2A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET
1N60G-A-AA3-B	UTC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
1N60G-AB3-R	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT
1N60G-A-T92-B	UTC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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