1N5817-T3

更新时间： 2024-02-05 13:50:15

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WTE		整流二极管瞄准线
页数	文件大小	规格书
3页	39K
描述
1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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1N5817-T3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DO-41	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.16	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	20 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5817-T3 数据手册

1.0

0.8

0.6

1N5817

1N5818

1N5819

0.4

1.0

0.1

0.2

T_j= 25ºC

Single Pulse Half-Wave

60 Hz Resistive or Inductive Load

Pulse Width = 300 µs

2% Duty Cycle

100 120

140150

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

T_L, LEAD TEMPERATURE (ºC)

V_F, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)

Fig. 2 Typical Forward Characteristics

Fig. 1 Forward Current Derating Curve

1000

T_j= 25ºC

f = 1MHz

100

8.3ms Single Half Sine-Wave

JEDEC Method

0.1

1.0

100

NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz

Fig. 3 Maximum Non-Repetitive Peak Fwd Surge Current

V_R, REVERSE VOLTAGE (V)

Fig. 4 Typical Junction Capacitance

1N5817 – 1N5819

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5817-T3-LF	WTE	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLAS	获取价格
1N5817T50A	FAIRCHILD	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, D4, 2 PIN	获取价格
1N5817T50R	FAIRCHILD	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, D4, 2 PIN	获取价格
1N5817-TB	WTE	1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格
1N5817-TB-LF	WTE	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLAS	获取价格
1N5817T-G	COMCHIP	Schottky Barrier Rectifiers	获取价格