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1N5658

更新时间: 2024-09-14 22:52:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管局域网
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2页 118K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

1N5658 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-13
包装说明:O-MALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.6
最大击穿电压:121 V最小击穿电压:99 V
击穿电压标称值:110 V外壳连接:CATHODE
最大钳位电压:158 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-202AAJESD-30 代码:O-MALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:89.2 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N5658 数据手册

 浏览型号1N5658的Datasheet PDF文件第2页 

1N5658 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon
1N5658A STMICROELECTRONICS

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1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13, METAL PACKAGE-2
1N5658A SENSITRON

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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 94V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
1N5658AB LITTELFUSE

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