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1N5618GPHE3/54

更新时间： 2024-11-25 06:18:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管
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4页 106K
描述
Glass Passivated Junction Rectifier

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1N5618GPHE3/54 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-15
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-15, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.63
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 VJEDEC-95代码：DO-204AC
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：2 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N5618GPHE3/54 数据手册

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1N5614GP thru 1N5622GP  
Vishay General Semiconductor  
Glass Passivated Junction Rectifier  
FEATURES  
• Superectifier structure for high reliability  
application  
• Cavity-free glass-passivated junction  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current, I less than 0.1 µA  
R
• High forward surge capability  
• Meets environmental standard MIL-S-19500  
• Solder dip 260 °C, 40 s  
* Glass-plastic encapsulation  
technique is covered by  
Patent No. 3,996,602, and  
brazed-lead assembly  
DO-204AC (DO-15)  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
by Patent No. 3,930,306  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in general purpose rectification of power  
supplies, inverters, converters and freewheeling  
diodes application.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
MECHANICAL DATA  
IF(AV)  
1.0 A  
Case: DO-204AC, molded epoxy over glass body  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
VRRM  
IFSM  
IR  
200 V to 1000 V  
50 A  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
0.5 µA  
VF  
1.2 V  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade  
(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2  
whisker test  
TJ max.  
175 °C  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL 1N5614GP 1N5616GP 1N5618GP 1N5620GP 1N5622GP UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage (1)  
VRRM  
VRMS  
VDC  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
Maximum RMS voltage  
Maximum DC blocking voltage (1)  
1000  
Maximum average forward rectified current 0.375"  
(9.5 mm) lead length at TA = 55 °C  
IF(AV)  
1.0  
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load (1)  
IFSM  
50  
A
Operating junction and storage temperature range (1) TJ, TSTG  
- 65 to + 175  
°C  
Note:  
(1) JEDEC registered values  
Document Number: 88520  
Revision: 03-Apr-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
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1N5618GPHE3/54 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N5618GP-E3/73 VISHAY

完全替代

 Glass Passivated Junction Rectifier
1N5618GP-E3/72 VISHAY

功能相似

 DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode

与1N5618GPHE3/54相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5618GP-HE3/54 VISHAY

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 		1A, 600V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
1N5618GPHE3/73 VISHAY

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 		Glass Passivated Junction Rectifier
1N5618GP-HE3/73 VISHAY

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 		1A, 600V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
1N5618R MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, GLASS PACKAGE-2
1N5618S SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon
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1N5618UL SENSITRON

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 		HERMETIC AXIAL LEAD / MELF GENERAL PURPOSE RECTIFIER
1N5618ULS SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon
1N5618ULV SENSITRON

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 		暂无描述
1N5618US MICROSEMI

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 		Standard Rectifier (trr more than 500ns)

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