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1N5062TAP

更新时间： 2024-01-02 22:00:45

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
4页	118K
描述
2A, 800V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

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1N5062TAP 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	E-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	1.97
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.15 V
JESD-30 代码：	E-LALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	50 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ELLIPTICAL
封装形式：	LONG FORM	最大重复峰值反向电压：	800 V
最大反向电流：	1 µA	最大反向恢复时间：	4 µs
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N5062TAP 数据手册

1N5059, 1N5060, 1N5061, 1N5062

www.vishay.com

Vishay Semiconductors

Standard Avalanche Sinterglass Diode

FEATURES

• Glass passivated junction

• Hermetically

envelope

sealed

axial-leaded

glass

• Controlled avalanche characteristics

• Low reverse current

• High surge current loading

• Material categorization:

949539

For definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

MECHANICAL DATA

Case: SOD-57

APPLICATIONS

• Rectification diode, general purpose

Terminals: plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,

method 2026

Polarity: color band denotes cathode end

Mounting position: any

Weight: approx. 369 mg

ORDERING INFORMATION (Example)

DEVICE NAME

ORDERING CODE

TAPED UNITS

MINIMUM ORDER QUANTITY

1N5062

1N5062TR

5000 per 10" tape and reel

5000 per ammopack

25 000

1N5062

1N5062TAP

PARTS TABLE

PART

TYPE DIFFERENTIATION

PACKAGE

SOD-57

1N5059

_R= 200 V; I_F(AV)= 2 A

_R= 400 V; I_F(AV)= 2 A

_R= 600 V; I_F(AV)= 2 A

_R= 800 V; I_F(AV)= 2 A

1N5060

1N5061

1N5062

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITION

See electrical characteristics

t_p= 10 ms, half sine wave

PART

1N5059

1N5060

1N5061

1N5062

SYMBOL

VALUE

200

400

600

800

UNIT

_R= V_RRM

I_FSM

Reverse voltage = repetitive peak reverse

voltage

Peak forward surge current

Average forward current

T_thJA= 45 K/W, T_amb= 50 °C

I_F(AV)

T_thJA= 100 K/W, T_amb= 75 °C

I_F(AV)

0.8

Pulse energy in avalanche mode, non

repetitive (inductive load switch off)

_(BR)R= 1 A, inductive load

E_R

°C

Junction and storage temperature range

T_j= T_stg

- 55 to + 175

MAXIMUM THERMAL RESISTANCE (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

VALUE

UNIT

Lead length l = 10 mm, T_L= constant

On PC board with spacing 25 mm

R_thJA

K/W

Junction ambient

R_thJA

100

Rev. 1.7, 12-Sep-12

Document Number: 86000

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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与1N5062TAP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N5062TR	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 2A, 800V V(RRM), Silicon, DO-204AP, ROHS C
1N5063	MICROSEMI	获取价格	POWER ZENERS
1N5063	NJSEMI	获取价格	3-WATT ZENER DIODES
1N5064	NJSEMI	获取价格	3-WATT ZENER DIODES
1N5064	MICROSEMI	获取价格	POWER ZENERS
1N5064HR	DIGITRON	获取价格	Zener Diode
1N5064-PBF	DIGITRON	获取价格	Zener Diode
1N5065	MICROSEMI	获取价格	POWER ZENERS
1N5065	NJSEMI	获取价格	3-WATT ZENER DIODES
1N5066	MICROSEMI	获取价格	POWER ZENERS

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