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1N5065

更新时间: 2024-02-03 06:17:31
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管测试
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2页 117K
描述
POWER ZENERS

1N5065 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:3 ΩJESD-30 代码:O-XALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:3 W
标称参考电压:8.2 V最大反向电流:200 µA
反向测试电压:6.2 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max:4.1 mV/ °C最大电压容差:5%
工作测试电流:75 mA

1N5065 数据手册

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