是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.86 |
其他特性: | HGH RELIABILITY | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | 最大动态阻抗: | 2 Ω |
JESD-30 代码: | O-XALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 3 W |
参考标准: | MIL-19500 | 标称参考电压: | 7.5 V |
最大反向电流: | 300 µA | 反向测试电压: | 5.7 V |
表面贴装: | NO | 技术: | ZENER |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
电压温度Coeff-Max: | 3 mV/ °C | 最大电压容差: | 5% |
工作测试电流: | 75 mA | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N5064-PBF | DIGITRON |
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Zener Diode | |
1N5065 | MICROSEMI |
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POWER ZENERS | |
1N5065 | NJSEMI |
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3-WATT ZENER DIODES | |
1N5066 | MICROSEMI |
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POWER ZENERS | |
1N5066 | NJSEMI |
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3-WATT ZENER DIODES | |
1N5066HR | DIGITRON |
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Zener Diode | |
1N5067 | NJSEMI |
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3-WATT ZENER DIODES | |
1N5067 | MICROSEMI |
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POWER ZENERS | |
1N5067A | NJSEMI |
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Diode Zener Single 10V 5% 3W 2-Pin Case A | |
1N5067HR | DIGITRON |
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Zener Diode |