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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.86 |
| 其他特性： | HGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 2 Ω |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 3 W |
| 参考标准： | MIL-19500 | 标称参考电压： | 7.5 V |
| 最大反向电流： | 300 µA | 反向测试电压： | 5.7 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 电压温度Coeff-Max： | 3 mV/ °C | 最大电压容差： | 5% |
| 工作测试电流： | 75 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5064HR | DIGITRON |
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Zener Diode |
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| 1N5064-PBF | DIGITRON |
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Zener Diode |
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| 1N5065 | MICROSEMI |
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POWER ZENERS |
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| 1N5065 | NJSEMI |
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3-WATT ZENER DIODES |
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| 1N5066 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
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| 1N5066 | NJSEMI |
获取价格 |
3-WATT ZENER DIODES |
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| 1N5066HR | DIGITRON |
获取价格 |
Zener Diode |
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| 1N5067 | NJSEMI |
获取价格 |
3-WATT ZENER DIODES |
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| 1N5067 | MICROSEMI |
获取价格 |
POWER ZENERS |
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| 1N5067A | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Zener Single 10V 5% 3W 2-Pin Case A |
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