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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.73 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-MBCY-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 300 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 3 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4999 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Rectifiers |
|
| 1N4999 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon Rectifiers |
|
| 1N4999E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| 1N4X48WS | TSC |
获取价格 |
200mW High Speed SMD Switching Diode |
|
| 1N50 | UTC |
获取价格 |
1.3A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 1N50 | NJSEMI |
获取价格 |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
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| 1N50_1109 | UTC |
获取价格 |
1.3A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 1N500 | ETC |
获取价格 |
GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
|
| 1N5000 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Rectifiers |
|
| 1N5000 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon Rectifiers |
|
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