5秒后页面跳转
1N4998 PDF预览

1N4998

更新时间: 2024-01-23 08:55:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 92K
描述
Silicon Rectifiers

1N4998 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:HERMETIC SEALED PACKAGE-2针数:2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.73应用:GENERAL PURPOSE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-MBCY-W2
最大非重复峰值正向电流:300 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM

1N4998 数据手册

 浏览型号1N4998的Datasheet PDF文件第2页 

与1N4998相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1N4999 MICROSEMI Silicon Rectifiers

获取价格

1N4999 NJSEMI Silicon Rectifiers

获取价格

1N4999E3 MICROSEMI Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

获取价格

1N4X48WS TSC 200mW High Speed SMD Switching Diode

获取价格

1N50 UTC 1.3A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET

获取价格

1N50 NJSEMI GOLD BONDED GERMANIUM DIODES

获取价格