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| 生命周期： | Active | 包装说明： | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.75 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-XBCY-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 300 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N4X48WS | TSC | 200mW High Speed SMD Switching Diode |
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| 1N50 | UTC | 1.3A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 1N50 | NJSEMI | GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
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| 1N50_1109 | UTC | 1.3A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 1N500 | ETC | GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
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| 1N5000 | MICROSEMI | Silicon Rectifiers |
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