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1N5003E3

更新时间: 2024-11-25 09:54:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 97K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

1N5003E3 技术参数

生命周期:Active包装说明:HERMETIC SEALED PACKAGE-2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.75
应用:GENERAL PURPOSE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-XBCY-W2最大非重复峰值正向电流:300 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:3 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL最大重复峰值反向电压:1000 V
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOMBase Number Matches:1

1N5003E3 数据手册

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