5秒后页面跳转
1N5012 PDF预览

1N5012

更新时间: 2024-02-06 11:55:33
品牌 Logo 应用领域
NJSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 89K
描述
DIODE

1N5012 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Not Recommended包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.62
其他特性:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:2.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:4.7 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N5012 数据手册

  

与1N5012相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
1N5012A NJSEMI DIODE

获取价格

1N5012A CENTRAL ZENER DIODES

获取价格

1N5013 NJSEMI DIODE

获取价格

1N5013A NJSEMI DIODE

获取价格

1N5013A CENTRAL ZENER DIODES

获取价格

1N5013ATR CENTRAL 暂无描述

获取价格