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1N5000

更新时间: 2024-01-11 15:02:26
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 92K
描述
Silicon Rectifiers

1N5000 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:300 A元件数量:1
最高工作温度:175 °C最大输出电流:3 A
最大重复峰值反向电压:400 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

1N5000 数据手册

 浏览型号1N5000的Datasheet PDF文件第2页 

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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