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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-XBCY-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.82 |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V | JESD-30 代码： | O-XBCY-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 300 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N5003E3 | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
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| 1N5004 | NJSEMI | SI RECTIFIER |
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| 1N5006 | NJSEMI | Si Rectifiers |
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| 1N5008 | NJSEMI | DIODE |
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| 1N5008A | CENTRAL | ZENER DIODES |
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| 1N5008A | NJSEMI | DIODE |
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