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1N486B_T50A

更新时间： 2024-11-01 19:43:39

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	30K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon, DO-35

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1N486B_T50A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DO-35
包装说明：	O-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.3
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	4 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	250 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N486B_T50A 数据手册

1N486B

DO-35

Color Band Denotes Cathode

Small Signal Diode

Absolute Maximum Ratings*

T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_RRM

I_F(AV)

I_FSM

Maximum Repetitive Reverse Voltage

250

200

Average Rectified Forward Current

Non-repetitive Peak Forward Surge Current

Pulse Width = 1.0 second

1.0

4.0

Pulse Width = 1.0 microsecond

Storage Temperature Range

-65 to +200

°C

T_stg

T_J

Operating Junction Temperature

175

°C

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Value

Units

P_D

Power Dissipation

Thermal Resistance, Junction to Ambient

500

300

R_θJA

C/W

Electrical Characteristics T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min

Max Units

V_R

V_F

I_R

Breakdown Voltage

250

I = 100

Forward Voltage

Reverse Current

I_F= 100 mA

1.0

V_R= 225 V

V_R= 225 V, T_A= 150°C

µA

2002 Fairchild Semiconductor Corporation

1N486B, Rev. A1

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