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1N4878

更新时间: 2024-10-31 22:37:35
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管软恢复能力电源软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 120K
描述
Silicon Power Rectifier

1N4878 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MUPM-H1
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.75Is Samacsys:N
其他特性:EXCELLENT RELIABILITY应用:SOFT RECOVERY POWER
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-205AAJESD-30 代码:O-MUPM-H1
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:2000 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:125 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

1N4878 数据手册

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