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1N488

更新时间: 2024-02-09 00:43:31
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其他 - ETC 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 267K
描述
silicon diode

1N488 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:DO-7
包装说明:DO-7, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.58
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJEDEC-95代码:DO-7
JESD-30 代码:O-XALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:2 A元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最大输出电流:0.1 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:380 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N488 数据手册

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