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1N4890-1

更新时间: 2024-11-01 14:32:59
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美高森美 - MICROSEMI /
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2页 489K
描述
Zener Diode, 6.35V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35,

1N4890-1 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.62
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:10 Ω
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:6.35 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
电压温度Coeff-Max:0.0635 mV/ °C最大电压容差:5%
工作测试电流:7.5 mABase Number Matches:1

1N4890-1 数据手册

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