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1N4894-1

更新时间: 2024-09-14 14:32:59
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
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2页 489K
描述
Zener Diode, 6.35V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35,

1N4894-1 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.69
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:10 ΩJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:6.35 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL电压温度Coeff-Max:0.0635 mV/ °C
最大电压容差:5%工作测试电流:7.5 mA

1N4894-1 数据手册

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