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1N4750

更新时间: 2024-09-17 22:37:35
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2页 88K
描述
SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES

1N4750 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.27
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:35 ΩJEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-XALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:27 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
最大电压容差:10%工作测试电流:9.5 mA
Base Number Matches:1

1N4750 数据手册

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