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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.62 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N459AE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 200V V(RRM) |
|
| 1N459ALEADFREE | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N459AR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N459AT50A | TI |
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0.2A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| 1N459AT50R | FAIRCHILD |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, |
|
| 1N459ATR | FAIRCHILD |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N459ATR | ONSEMI |
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高电导、低泄漏二极管 |
|
| 1N459ATRLEADFREE | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N459AX | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N459B | NJSEMI |
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Diode 200V 0.5A 2-Pin DO-35 |
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