1N4148M-B

更新时间： 2024-11-14 13:03:31

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美微科 - MCC		二极管
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3页	81K
描述
Rectifier Diode,

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1N4148M-B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.92	JESD-609代码：	e0
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

1N4148M-B 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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1N4148

Features

Low Current Leakage

Metalurgically Bonded Construction

Low Cost

500mW 100 Volt

Silicon Epitaxial Diode

Maximum Ratings

Operating Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

Maximum Thermal Resistance; 35°C/W Junction To Ambient

DO-35

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Reverse Voltage

Peak Reverse

Voltage

Average Rectified

Current

V_R

V_RM

75V

100V

I_O

150mA Resistive Load

Cathode

Mark

f > 50Hz

Power Dissipation

Junction

Temperature

Peak Forward Surge

Current

P_TOT

T_J

500mW

200°C

I_FSM

V_F

I_R

500mA t<1s

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

Typical Junction

Capacitance

Reverse Recovery

Time

1.0V

I_FM= 10mA;

T_J= 25°C*

V_R=20Volts

T_J= 25°C

T_J= 150°C

VR=75Volts

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

I_F=10mA

25nA

50mA

5uA

DIMENSIONS

INCHES

MIN

---

MIN

---

25.40

C_J

T_rr

4pF

DIM

MAX

.166

.079

.020

---

MAX

4.2

NOTE

2.00

.52

---

4nS

V_R= 6V

1.000

R_L=100W

*Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 2%

www.mccsemi.com

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