1N4148M-BP

更新时间： 2024-02-18 15:51:14

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美微科 - MCC		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	81K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-34, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2

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1N4148M-BP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.76
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.715 V	最大非重复峰值正向电流：	2 A
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.15 A	最大重复峰值反向电压：	75 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

1N4148M-BP 数据手册

M C C

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21201 Itasca Street Chatsworth

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1N4148

Features

Low Current Leakage

Metalurgically Bonded Construction

Low Cost

500mW 100 Volt

Silicon Epitaxial Diode

Maximum Ratings

Operating Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

Maximum Thermal Resistance; 35°C/W Junction To Ambient

DO-35

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Reverse Voltage

Peak Reverse

Voltage

Average Rectified

Current

V_R

V_RM

75V

100V

I_O

150mA Resistive Load

Cathode

Mark

f > 50Hz

Power Dissipation

Junction

Temperature

Peak Forward Surge

Current

P_TOT

T_J

500mW

200°C

I_FSM

V_F

I_R

500mA t<1s

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

Typical Junction

Capacitance

Reverse Recovery

Time

1.0V

I_FM= 10mA;

T_J= 25°C*

V_R=20Volts

T_J= 25°C

T_J= 150°C

VR=75Volts

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

I_F=10mA

25nA

50mA

5uA

DIMENSIONS

INCHES

MIN

---

MIN

---

25.40

C_J

T_rr

4pF

DIM

MAX

.166

.079

.020

---

MAX

4.2

NOTE

2.00

.52

---

4nS

V_R= 6V

1.000

R_L=100W

*Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 2%

www.mccsemi.com

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