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1N4148GW6_S1_00001

更新时间: 2024-11-15 01:05:55
品牌 Logo 应用领域
强茂 - PANJIT 开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 305K
描述
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES

1N4148GW6_S1_00001 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.56
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G6
元件数量:1端子数量:6
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:0.15 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
最大功率耗散:0.41 W最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向恢复时间:0.004 µs表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

1N4148GW6_S1_00001 数据手册

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P1N4148GW6  
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES  
100 V  
410 mW  
Voltage  
Power  
Features  
Fast switching Speed.  
Electrically identical to standard JEDEC  
High Conductance  
Surface mount package ideally suited for automatic insertion.  
Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive  
Green molding compound as per IEC61249 Std..  
(Halogen Free)  
Mechanical Data  
Case: SOT-23 6L plastic case  
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
Approx. Weight: 0.0005 ounces, 0.014 grams  
Marking: DA2  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ=25oC unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
Reverse Voltage  
VR  
VRM  
VRMS  
VDC  
IAV  
75  
V
V
Peak Reverse Voltage  
100  
RMS Voltage  
50  
75  
V
Maximum DC Blocking Voltage  
V
Maximum Average Forward Current at TA=25oC  
150  
mA  
A
Peak Forward Surge Current, 1s  
Power Dissipation Derate Above 25 oC  
IFSM  
PTOT  
4
410  
mW  
0.715@0.001A  
0.855@0.01A  
1@0.05A  
1.25@0.15A  
Maximum Forward Voltage  
VF  
V
May 19,2016-REV.01  
Page 1  

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