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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-XALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | Factory Lead Time： | 20 weeks 1 day |
| 风险等级： | 1.1 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V | JEDEC-95代码： | DO-204AH |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 2 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 0.3 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V | 最大反向恢复时间： | 0.008 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N4148 | VISHAY |
类似代替  |
Silicon Epitaxial Planar Diodes |
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| 1N4148,133 | NXP |
功能相似 |
1N4148; 1N4448 - High-speed diodes AXIAL 2-Pin |
|
| 1N4148 | FAIRCHILD |
功能相似 |
High Conductance Fast Diode |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4148TRLEADFREE | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
|
| 1N4148TR-RECU | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
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| 1N4148TR-RMCU | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35 |
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| 1N4148UB | MICROSEMI |
获取价格 |
PERFORMANCE SPECIFICATION |
|
| 1N4148UB2 | MICROSEMI |
获取价格 |
PERFORMANCE SPECIFICATION |
|
| 1N4148UB2R | MICROSEMI |
获取价格 |
PERFORMANCE SPECIFICATION |
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| 1N4148UBCA | MICROSEMI |
获取价格 |
PERFORMANCE SPECIFICATION |
|
| 1N4148UBCC | MICROSEMI |
获取价格 |
PERFORMANCE SPECIFICATION |
|
| 1N4148UBCCC | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon, CERAMIC, UBC-3 |
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| 1N4148UBCD | MICROSEMI |
获取价格 |
PERFORMANCE SPECIFICATION |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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