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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N4148UB2
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1N4148UB2

更新时间： 2024-11-17 22:15:35
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
19页 104K
描述
PERFORMANCE SPECIFICATION

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1N4148UB2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.73Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.8 VJESD-609代码：e4
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：1
最高工作温度：200 °C最大输出电流：0.2 A
最大重复峰值反向电压：75 V最大反向恢复时间：0.005 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrierBase Number Matches：1

1N4148UB2 数据手册

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INCH POUND  
The documentation and process conversion  
measures necessary to comply with this  
revision shall be completed by 8 September 2001.  
MIL-PRF-19500/116L  
8 June 2001  
SUPERSEDING  
MIL-PRF-19500/116K  
28 February 1997  
PERFORMANCE SPECIFICATION  
SEMICONDUCTOR DEVICE, DIODE, SILICON, SWITCHING  
TYPES 1N914, 1N914UR, 1N4148-1, 1N4148UR-1, 1N4148UB, 1N4148UB2, 1N4148UB2R, 1N4148UBCA,  
1N4148UBCC, 1N4148UBCD, 1N4531, AND 1N4531UR, JAN, JANTX, JANTXV, JANHC, AND JANKC  
JANS1N4148-1 (see 6.4). Device types 1N914  
and 1N4531 are inactive for new design.  
This specification is approved for use by all Departments  
and Agencies of the Department of Defense.  
1. SCOPE  
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for silicon, diffused, switching diodes. Three  
levels of product assurance are provided for each device type as specified in MIL-PRF-19500. Two levels of product  
assurance are provided for each unencapsulated device.  
1.2 Physical dimensions. See figures 1 (similar to DO-35), 2, 3, 4, and 5.  
1.3 Maximum ratings.  
Type  
V
(BR)  
V
RWM  
I
o
I
T
STG  
T
op  
Z
R
R
JC  
FSM  
JX  
JL  
T
A
= 25 C  
t =  
p
1/120 s  
A (pk)  
V dc  
V (pk)  
mA  
C
C
C/W  
C/W  
C/W  
1N914, UR  
1N4531, UR  
1N4148-1, UR-1  
1N4148UB,  
100  
100  
100  
100  
75  
75  
75  
75  
75 (1)  
1
1
2
2
-65 to +200  
-65 to +200  
-65 to +200  
-65 to +200  
-65 to +175  
-65 to +175  
-65 to +200  
-65 to +200  
70  
70  
70  
70  
N/A  
N/A  
N/A  
150  
125 (2)  
200 (3)  
200 (3)  
250  
(leaded)  
100(UR)  
1N4148UB2,  
1N4148UB2R,  
1N4148UBCA,  
1N4148UBCC,  
1N4148UBCD,  
(1) Derate at 0.5 mA/ C above TA = 25 C.  
(2) Derate at 0.83 mA/ C above TA = 25 C.  
(3) Derate at 1.14 mA/ C above TA = 25 C.  
Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in  
improving this document should be addressed to: Defense Supply Center, Columbus, ATTN: DSCC-VAC,  
P.O. Box 3990, Columbus, OH 43216-5000, by using the Standardization Document Improvement Proposal  
(DD Form 1426) appearing at the end of this document or by letter.  
AMSC N/A  
FSC 5961  
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.  
1234567...19

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4148UB2R MICROSEMI

获取价格

 		PERFORMANCE SPECIFICATION
1N4148UBCA MICROSEMI

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 		PERFORMANCE SPECIFICATION
1N4148UBCC MICROSEMI

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 		PERFORMANCE SPECIFICATION
1N4148UBCCC MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon, CERAMIC, UBC-3
1N4148UBCD MICROSEMI

获取价格

 		PERFORMANCE SPECIFICATION
1N4148UR-1 MICROSEMI

获取价格

 		MINI-MELF-SMD Silicon Diode
1N4148UR-1 CDI-DIODE

获取价格

 		SWITCHING DIODE
1N4148UR-1_1 MICROSEMI

获取价格

 		SWITCHING DIODE
1N4148UR-1-TR MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
1N4148UR-1-TRE3 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

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