5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | R-CDSO-N3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.56 | 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V | JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 |
| JESD-609代码： | e4 | 最大非重复峰值正向电流： | 2 A |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 最大重复峰值反向电压： | 75 V | 最大反向恢复时间： | 0.005 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4148UBCD | MICROSEMI |
获取价格 |
PERFORMANCE SPECIFICATION |
|
| 1N4148UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
MINI-MELF-SMD Silicon Diode |
|
| 1N4148UR-1 | CDI-DIODE |
获取价格 |
SWITCHING DIODE |
|
| 1N4148UR-1_1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODE |
|
| 1N4148UR-1-TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
|
| 1N4148UR-1-TRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 |
|
| 1N4148VC | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N4148VE | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N4148VH | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, |
|
| 1N4148W | WTE |
获取价格 |
SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
