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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 应用： | FAST RECOVERY | 最小击穿电压： | 50 V |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.4 V | JEDEC-95代码： | DO-4 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 200 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 6 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 最大重复峰值反向电压： | 50 V | 最大反向电流： | 15 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.2 µs | 反向测试电压： | 50 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3879_07 | MICROSEMI |
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Fast Recovery Rectifier |
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| 1N3879_12 | VISHAY |
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Fast Recovery Diodes (Stud Version), 6/12/16 A |
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| 1N3879A | MOTOROLA |
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6 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
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| 1N3879A | NJSEMI |
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Diode Switching 50V 6A 2-Pin DO-4 |
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| 1N3879E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| 1N3879M | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, |
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| 1N3879PBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| 1N3879R | DIGITRON |
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Rectifier, Fast Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 6; Max TMS Bridge Input Vol |
|
| 1N3879R | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| 1N3879R | INFINEON |
获取价格 |
FAST RECOVERY DIODES |
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