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1N3879R

更新时间: 2024-11-07 20:21:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
5页 360K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

1N3879R 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-4
包装说明:O-MUPM-D1针数:1
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.22Is Samacsys:N
应用:FAST RECOVERY外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.4 V
JEDEC-95代码:DO-203AAJESD-30 代码:O-MUPM-D1
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:200 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:6 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:50 V
最大反向电流:15 µA最大反向恢复时间:0.2 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N3879R 数据手册

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