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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3879E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| 1N3879M | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, |
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| 1N3879PBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| 1N3879R | DIGITRON |
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Rectifier, Fast Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 6; Max TMS Bridge Input Vol |
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| 1N3879R | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| 1N3879R | INFINEON |
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FAST RECOVERY DIODES |
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| 1N3879R | AMERICASEMI |
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High Power- Fast Recovery Rectifiers |
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| 1N3879R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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| 1N3879RA | MOTOROLA |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, |
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| 1N3879RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
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