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1N3879E3

更新时间: 2024-11-29 14:39:07
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美高森美 - MICROSEMI 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
5页 361K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

1N3879E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:DO-4, 1 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.24其他特性:FREE WHEELING DIODE
应用:FAST RECOVERY外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.4 V
JEDEC-95代码:DO-203AAJESD-30 代码:O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流:200 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:6 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压:50 V最大反向电流:15 µA
最大反向恢复时间:0.2 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

1N3879E3 数据手册

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