是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | DO-4 | 包装说明: | DO-4, 1 PIN |
针数: | 1 | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | Factory Lead Time: | 18 weeks |
风险等级: | 5.21 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | FREE WHEELING DIODE | 应用: | FAST RECOVERY HIGH POWER |
外壳连接: | CATHODE | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.4 V | JEDEC-95代码: | DO-203AA |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 | JESD-609代码: | e3 |
最大非重复峰值正向电流: | 90 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 6 A | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 50 V | 最大反向恢复时间: | 0.3 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N3879_07 | MICROSEMI |
获取价格 |
Fast Recovery Rectifier | |
1N3879_12 | VISHAY |
获取价格 |
Fast Recovery Diodes (Stud Version), 6/12/16 A | |
1N3879A | MOTOROLA |
获取价格 |
6 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA | |
1N3879A | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 50V 6A 2-Pin DO-4 | |
1N3879E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN | |
1N3879M | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, | |
1N3879PBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 | |
1N3879R | DIGITRON |
获取价格 |
Rectifier, Fast Recovery; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 6; Max TMS Bridge Input Vol | |
1N3879R | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN | |
1N3879R | INFINEON |
获取价格 |
FAST RECOVERY DIODES |