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1N3611R

更新时间: 2024-01-07 10:04:06
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管军事
页数 文件大小 规格书
2页 57K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, GLASS PACKAGE-2

1N3611R 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
配置:SINGLE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 V最大非重复峰值正向电流:40 A
元件数量:1最高工作温度:175 °C
最大输出电流:1 A最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向恢复时间:2 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NOBase Number Matches:1

1N3611R 数据手册

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