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1N3612

更新时间: 2024-11-19 22:34:55
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管军事
页数 文件大小 规格书
2页 57K
描述
MILITARY RECTIFIERS

1N3612 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS, A-TYPE PACKAGE-2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80Factory Lead Time:9 weeks
风险等级:5.22Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:400 V表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N3612 数据手册

 浏览型号1N3612的Datasheet PDF文件第2页 

1N3612 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N3612 SEMTECH

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1N3612GP/53 VISHAY

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Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
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1N3612GP/60 VISHAY

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