5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | DO-41 | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.14 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JEDEC-95代码： | DO-204AL | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 30 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 1 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 400 V | 最大反向恢复时间： | 2 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N4004RLG | ONSEMI |
功能相似  |
Axial Lead Standard Recovery Rectifiers |
|
| 1N4004-T | DIODES |
功能相似 |
1.0A RECTIFIER |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3612GP-HE3 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, LEAD FREE, PLASTIC, DO-41, 2 PIN, Signa |
|
| 1N3612GPHE3/54 | VISHAY |
获取价格 |
STD RECOVERY RECTFR 400V 1A 2PIN DO-41 - Tape and Reel |
|
| 1N3612GP-HE3/54 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN, |
|
| 1N3612GP-HE3/73 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN, |
|
| 1N3612R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| 1N3612S | SENSITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, Silicon, |
|
| 1N3612X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| 1N3613 | NJSEMI |
获取价格 |
General Purpose Rectifiers in A Bodt Package |
|
| 1N3613 | SEMTECH |
获取价格 |
Axial Leaded Hermetically Sealed Standard Recovery Rectifier Diode |
|
| 1N3613 | MICROSEMI |
获取价格 |
MILITARY RECTIFIERS |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
